MIC4451YN 패키지 DIP-8 플러그인 게이트 드라이버 MOS, 1 개

반도체 산업에서 게이트 드라이버는 전력 전자 장치의 효율적인 제어에 필수적인 역할을 합니다. 이러한 장치는 전력 MOSFET과 같은 스위칭 소자를 구동하여 모터, 전원 공급 장치 및 기타 전력 변환 응용 분야에서 사용되는 회로의 성능을 최적화하는 데 도움이 됩니다. MIC4451YN은 이러한 응용 분야에 이상적인 고성능 게이트 드라이버 IC 중 하나입니다.

MIC4451YN 개요

MIC4451YN은 DIP-8 패키지로 제공되는 단일 채널, 고전류 게이트 드라이버 IC입니다. 5V ~ 15V의 넓은 입력 전압 범위를 지원하며, 최대 1A의 출력 전류를 제공할 수 있습니다. 이러한 기능 덕분에 MIC4451YN은 다양한 전력 전자 응용 분야에서 사용하기에 유연하고 편리합니다.

주요 특징

• DIP-8 패키지
• 5V ~ 15V 입력 전압 범위
• 최대 1A 출력 전류
• 낮은 입력 전류(전형 200µA)
• 짧은 전파 지연 시간(전형 35ns)
• 내부 Miller 클램프 회로
• 과전압 및 과전류 보호

응용 분야

MIC4451YN은 다음과 같은 다양한 전력 전자 응용 분야에 사용할 수 있습니다.

• 모터 제어
• 전원 공급 장치
• 인버터 및 컨버터
• 전력 변환 회로
• LED 조명

장점

MIC4451YN 게이트 드라이버 IC를 사용하면 다음과 같은 이점을 얻을 수 있습니다.

• 향상된 전력 전자 회로 성능
• 증가된 효율성
• 더 긴 스위칭 소자 수명
• 간소화된 설계
• 비용 절감

선택 방법

적합한 게이트 드라이버 IC를 선택할 때 고려해야 할 몇 가지 주요 요소가 있습니다.

• 입력 전압 범위
• 출력 전류
• 전파 지연 시간
• 보호 기능
• 패키지 유형

MIC4451YN은 이러한 요구 사항을 충족하는 뛰어난 선택으로, 다양한 전력 전자 응용 분야에 이상적입니다.

MIC4451YN 패키지 DIP-8 플러그인 게이트 드라이버 MOS, 1 개는 전력 전자 회로 설계자에게 뛰어난 솔루션을 제공합니다. 이 고성능 IC는 향상된 성능, 효율성 및 신뢰성을 보장하는 다양한 기능을 갖추고 있습니다. 다양한 응용 분야에 적합한 MIC4451YN은 전력 전자 설계를 간소화하고 비용을 절감하는 데 도움이 될 수 있습니다.

1. 1000V 게이트-소스 절연 전압
2. 2.5A 펄스 전류
3. 10ns 전파 지연 시간

1. RTK 차동 센티미터 레벨 포지셔닝
2. GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo 다중 GNSS 지원
3. 초저전력 소비

1. 펄스 주파수 및 듀티 비율 조정 가능
2. 1Hz ~ 150kHz의 넓은 주파수 범위
3. 디지털 디스플레이로 주파수와 듀티 비율 표시

1. 양방향 DC 모터 제어 가능
2. 최대 2A의 전류 드라이브
3. 온보드 로직 제어 및 쉬운 인터페이스

1. ESP32-H2 듀얼 코어 마이크로컨트롤러
2. 내장 와이파이 4 및 블루투스 5.0 LE 연결
3. 소형 크기와 낮은 전력 소비

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